Projektübersicht

Die Energieeffizienz von Hochfrequenzleistungsverstärkern mit Anwendungen im Mobilfunk ist insbesondere bei modernen, hochwertigen Modulationsverfahren unbefriedigend und liegt im typischen Betriebsbereich weit unter 50 %. Eine Möglichkeit zur Steigerung der Effizienz sind digitale Schaltverstärker, die theoretisch eine Effizienz von 100 % erreichen. In dem Projekt iPADT werden Schaltverstärker in einer 100 nm GaN-Technologie entworfen, prozessiert und charakterisiert. In erster Linie werden schaltungstechnische Maßnahmen zur Erhöhung des Spannungshubs und damit der Ausgangsleistung, sowie zur Reduktion der Schaltverluste durch reduzierte Anstiegs- und Abfallzeiten beim Schaltvorgang untersucht. Mit den entworfenen Transistoren und realisierten, integrierten Schaltungen sollen in einem zweiten Schritt Schaltverstärker der Klasse D und E als Demonstratoren aufgebaut und getestet werden.